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Frequenza Max 2.2 GHz Gamma di prodotti - Tensione di alimentazione max 3.6 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Frequenza Min 1.805 GHz Numero di pin 6 Pin Modello Case ...

Dimensioni memoria = 256Mbit Interfacce = SPI Tipo di package = WSON Numero pin = 8 Organizzazione = 32M x 8 bit Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo di cella = NOR Tensione di alimentaz...

Temperatura di esercizio min -40 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Tensione di alimentazione min 1.1 V Guadagno 20.3 dB Frequenza Max 2.7 GHz Gamma di prodotti - Te...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=BSR802NL6327HTSA1, Corrente di drain continua (Id)=3.7 A, Dissipazione di potenza (Pd)=500 mW, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=32 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=15...

Memoria Flash NOR in parallelo, Cypress Semiconductor. Elevate prestazioni Rapido accesso casuale ed elevata larghezza di banda

Dimensioni memoria = 256Mbit Interfacce = SPI quadruplo Tipo di package = WSON Numero pin = 8 Organizzazione = 32M x 8 bit Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo di cella = NOR Tensione di...