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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

Gamma di prodotti EasyPIM TRENCHSTOP Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 15 A Termi...

Gamma di prodotti EasyPIM 2B Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 39 A Terminazione ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 100 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massi...

Gamma di prodotti - Tensione di alimentazione max 5.5 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 8 Pin Interfacce SPI Package/case del circuito integrato SOIC Densità ...

MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...

Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 40 A Temperatura di esercizio max 125 °C Terminazione IGBT mont...

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché fornisco...

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 100 A Tensione massima drain source = 80 V Tipo di package = TDSON Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza m...

Gamma di prodotti EasyPIM 2B Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 39 A Terminazione ...

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 50 A Terminazione IGBT mont...