Categorie
Forniture per ufficio
Hardware, software, telecomunicazione
Attrezzi e strumenti
Elettronica, elettrotecnica
Arredamento aziendale, allestimento magazzini
Sicurezza sul lavoro
Forniture tecniche e industriali
Prodotti medicali, terapia, laboratorio
Domotica, impiantistica
Materiali per spedizioni e imballaggi
Hotel, gastronomia, alimenti, bevande
Pulizia
Altre categorie
Italia
Italiano
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
My Mercateo
Accedi / Registrati
Accesso
Nuovo cliente?
Registrati ora
>
Profilo
Archivio ordini
Liste degli acquisti
Richieste d'acquisto
Carrello
Pagina iniziale
>
Elettronica, elettrotecnica
>
Componenti elettronici attivi
>
Raddrizzatore, diodi, transistori
>
Transistori
>
Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 127 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
Chiudi finestra
N. Articolo:
3369E-1658292
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRFS4310ZTRLPBF
EAN/GTIN:
5059043982816
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
127 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
250 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
1658292
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IRFS4310ZTRLPBF
Offerte
(3)
Tempi di consegna
max. 1 giorno
max. 3 giorni
max. 5 giorni
max. 10 giorni
Stato magazzino
Quantità min.
Spedizione
Prezzo progressivo
Prezzo unitario
Magazzino 5068
800
€ 7,90*
a partire da € 1,10*
€ 1,29*
Magazzino 3369
800
Franco domicilio
a partire da € 1,315*
€ 1,535*
Magazzino 8585
4 giorni
1418
1
€ 14,99*
a partire da € 1,79*
€ 3,95*
Nota
Qui è possibile visualizzare ulteriori informazioni sull'articolo. Seleziona i parametri che ti interessano: stato magazzino, valore minimo di ordine o condizioni di restituzione. Per cancellare i parametri scelti, basta cliccare nuovamente sulla selezione.
Visualizza altre condizioni
Visualizza valori minimi di ordine
Visualizza restituzione
Consiglia articolo
Aggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi:
Magazzino 3369
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
a partire da 800 pezzi
€ 1,535*
€ 1,873
per pezzo
a partire da 15000 pezzi
€ 1,315*
€ 1,604
per pezzo
Ordini solo in multipli di 800 pezzi
Quantità minima di ordine: 800 pezzi (
€ 1.228,00* più IVA
)
Stato magazzino:
Magazzino 3369
Spedizione:
Magazzino 3369
Guarda
informazioni sullo stato magazzino
dettagliate.
Valore dell'ordine
Spedizione
a partire da € 0,00*
Franco domicilio
Condizioni di restituzione per questo articolo:
Magazzino 3369
Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione.
Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati.
Articoli alternativi
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti articoli alternativi:
Tipo
Immagine
Articolo
N. Art. Produtt.
Prezzo
Simile
Infineon IPB020N10N5LF transistor 100 V
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1
a partire da € 3,891*
Simile
Infineon IPB033N10N5LF transistor 40 V
Infineon
IPB033N10N5LFATMA1
a partire da € 2,733*
Simile
MOSFET onsemi, canale N, 3,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
onsemi
FDB035N10A
a partire da € 2,97*
Simile
NEXPERIA PSMN3R8-100BS Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source
Nexperia
PSMN3R8-100BS
a partire da € 1,61*
Simile
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 100V; 120A; Idm: 480A
Vishay
SUM70040M-GE3
a partire da € 1,59*
Simile
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Nexperia
PSMN4R8-100BSEJ
a partire da € 1,88*
Simile
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Nexperia
PSMN3R7-100BSEJ
a partire da € 2,03*
Simile
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
onsemi
FDB047N10
a partire da € 1,89*
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217
Chi siamo
Assistenza
Area stampa
Lavora con noi
Condizioni generali di contratto
Dati societari
Informativa sulla privacy
RSI
Impostazioni privacy