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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 62 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = PG-TO220 Tipo di canale = ... |
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a partire da € 61,66*
per 50 pezzi |
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a partire da € 2,01*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon con corrente nominale completa Rapid 1 diodo antiparallelo rapido e morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore af... |
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a partire da € 2,726*
per pezzo |
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a partire da € 7,193*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 65 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Infineon IHW30N65R6 è un IGBT da 650 V, 30 A con diodo integrato monoliticamente in contenitore TO-247 con diodo integrato monoliticamente progettato per soddisfare i requisiti più esigenti di appl... |
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a partire da € 311,3904*
per 240 pezzi |
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a partire da € 5,25*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 65 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 65 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 160 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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a partire da € 1,694*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 75 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 536 W Tipo di package = TO-... |
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a partire da € 5,505*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 60 A, canale N, HSIP247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 148 W Tipo di package = HSI... |
Infineon IKFW75N65ES5XKSA1 |
a partire da € 5,832*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) Infineon IKP40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES... |
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a partire da € 2,205*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato di quinta generazione della serie di interruttori ad alta velocità Infineon.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interfere... |
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a partire da € 1,611*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) Infineon IKP39N65ES5 ha la massima densità di potenza con ingombro TO-220 e non richiede componenti per il bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente d... |
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a partire da € 2,007*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG... |
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a partire da € 1,809*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 30V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = PG-TO247 Ti... |
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a partire da € 3,16*
per pezzo |
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a partire da € 1,65*
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