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Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 160 A Tensione massima drain source = 100 V Tipo di package = PG-TSDSON-8 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaggio: THT Corpo: TO220F Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 19A Resistenza nello stato di conduzione: 24mΩ Tipo del transistor: N-MOSF...

Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: TO264 Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 250A Resistenza nello stato di conduzione: 6,5mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata: ...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 990 mA Tensione massima drain source = 20 V Tipo di package = X1-DFN1006-3

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO268 Tempo di prontitudine: 940ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 16A Resistenza nello stato di conduzione: 64mΩ Tipo del transistor: N...

Corrente massima continuativa di drain = 11 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = PG-TO220 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Corrente massima continuativa di drain = 10,6 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = TO-220 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3

Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tempo di prontitudine: 230ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 110A Resistenza nello stato di conduzione: 18mΩ Tipo del transistor...

Corrente massima continuativa di drain = 14 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = PG-TDSON-8 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: SO8 Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 2,8A Resistenza nello stato di conduzione: 0,122Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata:...

MOSFET

MOSFET

Corrente massima continuativa di drain = 128 A Tensione massima drain source = 250 V Tipo di package = TO-247AC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO268 Tempo di prontitudine: 230ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 110A Resistenza nello stato di conduzione: 18mΩ Tipo del transistor: ...