MOSFET  (25.429 offerte tra 5.511.232 articoli)

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 200V in contenitore D-Pak.Struttura di celle planari per SOA estesa Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuz...

Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaggio: THT Corpo: TO220F Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 370mΩ Tipo del transistor: N-MOS...

Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: TO220AB Tempo di prontitudine: 0,5µs Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 14A Resistenza nello stato di conduzione: 0,55Ω Tipo del transistor...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 7,2 A Tensione massima drain source = 950 V Tipo di package = TO-220 Numero pin = 3

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Corpo: PG-TO220-3 Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 0,25Ω Tipo del transistor: N-MOSFE...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 6 A Tensione massima drain source = 600 V Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resis...

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Corpo: PG-TO220-3-FP Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 13,1A Resistenza nello stato di conduzione: 0,19Ω Tipo del transistor: N-...

Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 0,19Ω Tipo del transistor: N-MOSF...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 64 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Modalità del canale = Enhancement Num...

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Corpo: PG-TO220-3 Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 0,33Ω Tipo del transistor: N-MOSFE...

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Corpo: PG-TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 13,8A Resistenza nello stato di conduzione: 0,28Ω Tipo del transistor: N-MOS...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 64 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Modalità del canale = ...

Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 14A Resistenza nello stato di conduzione: 0,29Ω Tipo del transistor: N-MOSFET P...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 7,7 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = PG-TO252-3 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Corpo: TO220FP Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 0,25Ω Tipo del transistor: N-MOSFET P...