MOSFET  (24.008 offerte tra 5.604.354 articoli)

Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Tensione di test di Rds(on) 10 V Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Corrente Conti...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio super...

Driver gate IGBT e MOSFET, half-bridge, Infineon. IC di controllo della resistenza di Infineon per controllare i dispositivi di potenza MOSFET o IGBT nelle configurazioni half-bridge.

Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 30 V Montaggio Transistore Surface Mount Tensione di test di Rds(on) 10 V Livello di ...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.136 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfett...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.5 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.

MOSFET a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfett...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...

Driver MOSFET low side, Intersil. Tensione fino a 100 V Alte prestazioni sul ritardo di propagazione da ingresso a uscita

Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Corrente Continua di Drain Id 25.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Numero di pin 3 Pin Tensione di test di Rds(on) 10 V Sostanze estremamente preocc...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

Driver gate IGBT e MOSFET, half-bridge, Infineon. IC di controllo della resistenza di Infineon per controllare i dispositivi di potenza MOSFET o IGBT nelle configurazioni half-bridge.