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Terminali del Relè Ala di Gabbiano Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll50 184 0.00000000005 Gamma di prodotti PhotoMOS AQY Series Resistenz...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll0.01 32 0.00000001 Gamma di prodotti PhotoMOS AQW22 Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 4 A Tipo di package = SOIC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Larghezza = 4mm Altezza = 1.5mm

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll1 32 0.000001 Gamma di prodotti PhotoMOS AQW Series Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato...

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor. Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i ...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll0.01 32 0.00000001 Gamma di prodotti PhotoMOS AQY22 Series Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenz...

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è ...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll1 32 0.000001 Gamma di prodotti PhotoMOS AQW254 Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato On ...

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll0.01 32 0.00000001 Gamma di prodotti PhotoMOS AQW22 Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato...

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll1 32 0.000001 Gamma di prodotti PhotoMOS AQY23 Series Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Sta...

MOSFET a canale N QFET®, oltre 31 A, Fairchild Semiconductor. I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prest...

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Stile di Package del Relè MOSFET SOP-8 Forma di Contatto DPST-NO (2 Forma A) Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione...