MOSFET  (25.500 offerte tra 5.506.341 articoli)

MOSFET ; IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire ...

Rds(on) Test Voltage 10 V Drain Source On State Resistance 0.0017 ohm Product Range - No. of Pins 8 Pins Transistor Mounting Surface Mount Channel Type N Channel Continuous Drain Current Id 205 A O...

Driver half bridge per gate IGBT e MOSFET, Texas Instruments

MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=2N7000, Corrente di drain continua (Id)=200 mA, Dissipazione di potenza (Pd)=350 mW, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=6 Ω, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Temper...

Accoppiatori ottici con stadio pilota, Lite-On. Accoppiatori ottici di Lite-On progettati specificamente per applicazioni con stadio pilota IGBT e MOSFET. Questi dispositivi integrati includono uno...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0023 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...

Interruttori di potenza intelligente high side, STMicroelectronics. Gli interruttori di potenza intelligente (IPS) integrano interfaccia logica, driver, funzioni di diagnostica e di protezione di u...

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 36.3 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continu...

MOSFET ; IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 150 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=2N7000-G, Corrente di drain continua (Id)=200 mA, Dissipazione di potenza (Pd)=1 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=5 Ω, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Tempera...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, fino a 2,5 A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in gra...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0069 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...