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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1.66 Ω, 7 A, HiP247, Su foro (1 offerta) 
MOSFET SiCIl MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resisten...
ST Microelectronics
SCT1000N170
a partire da € 10,312*
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Infineon IPA60R125CFD7 transistor 600 V (2 offerte)
Infineon
IPA60R125CFD7XKSA1
a partire da € 1,22*
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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,076 Ω, 46 A, TO-LL TIPO A2, Montaggio superficiale (2 offerte) 
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una c...
ST Microelectronics
STO65N60DM6
a partire da € 3,19*
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100%
MOSFET Vishay, canale N, 0,068 Ω, 41 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (3 offerte) 
Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.Valore nominale dellenergia a va...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
a partire da € 2,378*
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Infineon IPP60R280CFD7 transistor 600 V (1 offerta)
Infineon
IPP60R280CFD7XKSA1
a partire da € 34,45*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
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MOSFET Vishay, canale N, 0,088 Ω, 29 A, TO-220AB, Su foro (3 offerte) 
Il Vishay SiHP105N60EF-GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.Tecnologia della serie e di 4th generazione Bassa figura di merito Bassa capacità effettiva Perdite di conduzione...
Vishay
SiHP105N60EF-GE3
a partire da € 1,986*
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 pezzo
100%
MOSFET Vishay, canale N, 0,125 Ω, 11 A, TO-220 FP, Su foro (3 offerte) 
Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo a corpo rapido è dotato di una tecnologia serie e di 4th generazione. Ha perdite di conduzione e commutazione ridotte.Valore nominale dellenergia a va...
Vishay
SIHA125N60EF-GE3
a partire da € 1,867*
per pezzo
 
 pezzo
100%
MOSFET ROHM, canale P, 0,91 Ω, 3,5 A, TSMT-8, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il MOSFET di potenza ROHM ha un tipo di contenitore TO-3PF. È utilizzato principalmente per la commutazione.Tempo di recupero inverso (TTR) rapido Bassa resistenza in stato attivo Elevata velocità ...
ROHM Semiconductor
QH8JC5TCR
a partire da € 0,34*
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 pezzi
100%
MOSFET Vishay, canale N, 0,125 Ω, 14 A, 23 A., PowerPak 8 x 8, Montaggio superficiale (3 offerte) 
Il Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.Tecnologia della serie e di 4th generazione Bassa figura di merito Bassa capacità effettiva Perdite di conduzio...
Vishay
SIHH125N60EF-T1GE3
a partire da € 2,64*
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100%
MOSFET Vishay, canale N, 123 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET a canale N con diodo rapido, serie EF, Vishay Semiconductor. Tempo di recupero inverso, carica di recupero inverso e corrente di recupero inverso ridotti Bassa figura di merito (FOM) Bassa c...
Vishay
SIHB28N60EF-GE3
a partire da € 2,608*
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100%
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,039 Ω, 72 A, TO-247, Su foro (3 offerte) 
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una c...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6AG
a partire da € 5,611*
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100%
MOSFET Vishay, canale N, 0,193 Ω, 10 A, 16 A, PowerPak 8 x 8, Montaggio superficiale (2 offerte) 
Il Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.Tecnologia della serie e di 4th generazione Bassa figura di merito Bassa capacità effettiva Perdite di conduzio...
Vishay
SIHH186N60EF-T1GE3
a partire da € 2,117*
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MOSFET Vishay, canale N, 98 mΩ, 33 A, TO247AC, Su foro (2 offerte) 
MOSFET a canale N con diodo rapido, serie EF, Vishay Semiconductor. Tempo di recupero inverso, carica di recupero inverso e corrente di recupero inverso ridotti Bassa figura di merito (FOM) Bassa c...
Vishay
SIHG33N60EF-GE3
a partire da € 4,047*
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Morsa da banco Irwin, apertura 100mm (1 offerta) 
Morsa con regolazione rapida Irwin da 4″ / 100 mm Presentazione della morsa Irwin da banco a regolazione rapida e di medie dimensioni progettata per ingegneri e montatori. Questa morsa è caratteriz...
Irwin
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a partire da € 190,456*
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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,045 Ω, 45 A, HiP247, Su foro (3 offerte) 
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 45A e una resistenza da drain a source di 45m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità d...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
a partire da € 9,32*
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