Transistor di potenza  (29.680 offerte tra 5.367.000 articoli)

Corrente massima continuativa collettore = 35 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo Ti...

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 7.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 245ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 178A Resistenza nello stato di co...

Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo Ti...

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SOT323 Tensione drenaggio-fonte: 20V Corrente di drenaggio: 0,39A Resistenza nello stato di conduzione: 0,9Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Appl...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 76ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 200A Resistenza nello stato di con...

Corrente massima continuativa collettore = 25 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = TO-247-3 ...

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua...

Il modello TRENCHSTOP IGBT6 ad alta velocità Infineon con contenitore in parallelo e recupero rapido e morbido è progettato per raggiungere il miglior compromesso tra perdite di conduzione e commut...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.04 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: MiniSKiiP® 2 Potenza: 18,5kW Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del co...

Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 500 W Tipo di package = TO-247 Tip...

Resistenza RdsON canale N 0.35 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.35 ohm Dissipazione di potenza canale N 400 mW Dissipazione di potenza canale P 400 mW Temperatura di esercizi...

Produttore: DACO Semiconductor Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 280A Resistenza nello stato di conduzione: 2,1mΩ...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T...