Transistor di potenza  (29.888 offerte tra 5.509.630 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.015 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Tran...

Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 11A Resistenza nello stato di conduzione: 1Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Poten...

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di ...

Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: SOT89 Frequenza: 300MHz Tensione collettore-emettitore: 100V Amplificazione del transistor: 200...400 Corrente del collettore: 2A Tipo del transistor: PNP P...

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO268 Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 20A Resistenza nello stato di conduzione: 570mΩ Tipo del transistor: N...

Produttore: NEXPERIA Montaggio: SMD Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Tensione drenaggio-fonte: 80V Corrente di drenaggio: 34A Resistenza nello stato di conduzione: 66mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET ...

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO252 Tempo di prontitudine: 750ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 1,4A Resistenza nello stato di conduzione: 11,8Ω Tipo del transistor: ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 554.5 A. Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = DFNW8 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenz...

Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor PNP Frequenza di transizione 320 MHz Massima tensione Collettore-Emettitore 20 V Stile...

Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: THT Corpo: TO264 Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 21A Resistenza nello stato di conduzione: 0,5Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Poten...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 1,3 A Tensione massima drain source = 20 V Tipo di package = SOT-23 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.008 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Tran...

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tempo di prontitudine: 120ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 10A Resistenza nello stato di conduzione: 0,74Ω Tipo del transistor: ...

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...