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  Transistor di potenza  (29.888 offerte tra 5.509.630 articoli)

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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 500V; 100A; 1890W; 200ns (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: PLUS264™ Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 100A Resistenza nello stato di conduzione: 49mΩ Tipo del transisto...
IXYS
IXFB100N50P
a partire da € 20,56*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale P, 380 mΩ, 1,7 A, WDFN, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
NVTFS5124PLTAG
a partire da € 386,985*
per 1.500 pezzi
 
 pacchetto
ONSEMI 2SA2040-E TRANSISTORE, PNP, 100V, 8A, TO-251 (1 offerta) 
Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Polarità Transistor PNP Frequenza di transizione 290 MHz Massima tensione Collettore-Emettitore 100 V Stile di Case...
onsemi
2SA2040-E
a partire da € 602,415*
per 1.500 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 500V; 47A; Idm: 188A (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: THT Corpo: TO264 Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 47A Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Pote...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010LVFRG
a partire da € 18,66*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 200V; 56A; Idm: 224A (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: SMD Corpo: D3PAK Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 56A Resistenza nello stato di conduzione: 45mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Pote...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVFRG
a partire da € 12,66*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Vishay Siliconix, canale P, 100 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen III p
Vishay
Si2319DDS-T1-GE3
a partire da € 0,127*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 800V; 12A; 360W; TO247-3 (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 0,85Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata:...
IXYS
IXFH12N80P
a partire da € 3,54*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 65 A Tensione massima drain source = 60 V Tipo di package = TSON Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza mas...
Toshiba
TPN14006NH,L1Q(M
a partire da € 1.549,30*
per 5.000 pezzi
 
 pacchetto
ONSEMI 2SB1201T-TL-E TRANSISTORE, PNP, 50V, 2A, TO-252 (1 offerta) 
Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor PNP Frequenza di transizione 150 MHz Massima tensione Collettore-Emettitore 50 V Stile...
onsemi
2SB1201T-TL-E
a partire da € 365,085*
per 2.100 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolare; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns (1 offerta) 
Attenzione! Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile. Produttore: IXY...
IXYS
IXTY3N50P
a partire da € 0,53*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 600V; 21A; Idm: 84A (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 21A Resistenza nello stato di conduzione: 0,3Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6030BVRG
a partire da € 11,92*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1 Ω, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro (1 offerta) 
MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET di potenza che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dellazienda. Il prodotto risultante ha una straordinaria b...
ST Microelectronics
STD5NM60T4
a partire da € 2.289,375*
per 2.500 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: PNP; bipolare; 160V; 0,7A; 0,5W; SOT89 (2 offerte) 
Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: SOT89 Frequenza: 120MHz Tensione collettore-emettitore: 160V Amplificazione del transistor: 140...280 Corrente del collettore: 0,7A Tipo del transistor: PNP...
onsemi
2SA1418S-TD-E
a partire da € 0,19*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 200V; 56A; Idm: 224A (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 56A Resistenza nello stato di conduzione: 45mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45BVFRG
a partire da € 11,66*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: NPN; bipolare; 100V; 2A; 0,5W; SOT89 (2 offerte) 
Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: SOT89 Frequenza: 120MHz Tensione collettore-emettitore: 100V Amplificazione del transistor: 200...400 Corrente del collettore: 2A Tipo del transistor: NPN P...
onsemi
2SC3647T-TD-E
a partire da € 0,199*
per pezzo
 
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