Transistor di potenza  (29.866 offerte tra 5.358.221 articoli)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 3,5 A Tensione massima drain source = 100 V Tipo di package = SOT-23 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0062 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Mon...

Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR Montaggio: THT Corpo: TO247 Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 17A Resistenza nello stato di conduzione: 0,16Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Poten...

Unità da 1,5V Bassa resistenza allaccensione: Ron = 66 mΩ (max) (@VGS = 1,5 V) Ron = 43 mΩ (max) (@VGS = 1,8 V) Ron = 32 mΩ (max) (@VGS = 2,5 V) Ron = 28 mΩ (max) (@VGS = 4 V)

Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor PNP Frequenza di transiz...

Moduli di potenza MOSFET in carburo di silicio Wolfspeed. Moduli di potenza MOSFET al carburo di silicio da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree Inc. Questi moduli SiC MOSFET sono alloggiati ...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0016 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P...

Produttore: BRIDGELUX Montaggio: THT Corpo: TO247-4 Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 60A Resistenza nello stato di conduzione: 80mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissi...

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 30 A Tensione massima drain source = 1200 V Tipo di package = TO-247 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain ...

Interruttori di gestione dellalimentazione Convertitori cc-cc 175 MOSFET Unità da 4,5 V Resistenza allaccensione drain-source bassa RDS(ON) = 65 mΩ (@VGS = 4,5 V) RDS(ON) = 51 mΩ (@VGS = 10 V)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0042 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 11 A Tensione massima drain source = 900 V Tipo di package = TO-263-7 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenz...