Transistor di potenza  (29.680 offerte tra 5.366.836 articoli)

MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.06 ohm Gamma di prodotti CoolSiC Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configura...

IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

Controllore compatto Twido. Ingressi 24 V c.c. Uscite isolate 100base-TX ethernet via RJ45 (codice ; 528-8643 528-8643 soltanto) Potenza di uscita per le uscite relè: 2 A a 250 V c.a. Potenza di us...

ESBT discreti, ST Microelectronics

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.22 ohm Gamma di prodotti CoolSiC Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configura...

MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 450 A Terminazione IGBT pri...

ESBT discreti, ST Microelectronics

Gamma di prodotti TRENCHSTOP 5 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensio...

MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.039 ohm Gamma di prodotti CoolSiC M1 Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 7 Pin Configuraz...

ESBT discreti, ST Microelectronics

Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 520 A Terminazione IGBT pri...