Transistor di potenza  (29.599 offerte tra 5.317.573 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0072 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale c...

MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di fo...

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.135 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passan...

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0193 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 6 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pi...

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 500 µohm Gamma di prodotti OptiMOS 6 Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale can...

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS. I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono u...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.85 ohm Gamma di prodotti X-Class HiPerFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canal...

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS. I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono u...

Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.8021 ohm Gamma ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 80 A Tensione massima drain source = 250 V Serie = HiperFET Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0054 ohm Gamma di prodotti OptiMOS Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale can...