Transistor di potenza  (28.044 offerte tra 5.611.393 articoli)

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Tensione Drain Source Vds 250 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.1 ohm Corrente Continua...

Controller Di Carica Della Batteria Ai Polimeri Di Litio Mcp73831. I controller per la carica delle batterie MCP73831 MicroChips sono progettati per batterie a cella singola li-Lion e Ai Polimeri d...

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 540 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensi...

Gamma di prodotti - Temperatura di esercizio max 150 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Montaggio Transistore Surface Mount Corrente Continua di Drain Id 3 A Tension...

Zoccoli per transistor di potenza. L'isolamento per questi connettori femmina è realizzato in poliammide rinforzato con fibra di vetro mentre i contatti sono in bronzo fosforoso (2 μ Ni; 0,5 μ Au).

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.04 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio s...

Numero di pin 3 Pin Temperatura di esercizio max 150 °C Dissipazione di potenza 34 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Qualificazioni - Tensi...

Raddrizzatori a recupero ultraveloce HEXFRED®, Vishay Semiconductor. La gamma di prodotti HEXFRED® Vishay comprende raddrizzatori a recupero ultraveloce con tecnologia planare ultraveloce con barri...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.021 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...

Resistenza Drain-Source in conduzione 0.083 ohm Stile di Case del Transistor TO-247AD Temperatura di esercizio max 150 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Tensione di test di Rds(on) ...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.024 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.162 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...