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MOSFET Vishay, canale N, 5,05 mΩ, 65 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1349160
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR668DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     5059040665927
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
65 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
PowerPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
5,05 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
104 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.25mm
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1349160, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIR668DPT1RE3
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