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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 100V; 95A; Idm: 300A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIDR870ADP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIDR870ADP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 95A
Resistenza nello stato di conduzione: 10,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 80nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 300A
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