MOSFET IXYS, canale N, 24 mΩ, 120 A, TO-264P, Su foro

MOSFET di potenza a canale N, HiPerFET™ serie IXYS X2. La serie di MOSFET di potenza HiPerFET classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco migliorato ad alta velocità e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione. RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti Diodo raddrizzatore intrinseco rapido Bassa resistenza di gate intrinseca Contenitore a bassa induttanza Contenitori conformi allo standard industriale