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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolare; 650V; 120A; 1250W; TO264
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-IXFK120N65X2
Produttore:
IXYS
N. Art. Produtt.:
IXFK120N65X2
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
IXYS
Montaggio:
THT
Corpo:
TO264
Tempo di prontitudine:
220ns
Tensione drenaggio-fonte:
650V
Corrente di drenaggio:
120A
Resistenza nello stato di conduzione:
24mΩ
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
1,25kW
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
tubo
Carico della porta:
240nC
Tecnologia:
HiPerFET™;X2-Class
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±30V
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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Tipo
Immagine
Articolo
N. Art. Produtt.
Prezzo
Simile
MOSFET IXYS, canale N, 23 mΩ, 120 A, TO-264P, Su foro
IXYS
IXTK120N65X2
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