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MOSFET Vishay, canale P, 9 Ω, 185 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1464448
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     TP0610K-T1-E3
EAN/GTIN:
     5059040664746
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
185 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
9 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
-3V
Tensione di soglia gate minima:
-1V
Dissipazione di potenza massima:
350 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
3.04mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 1464448, Semiconduttori, Discreti, Vishay, TP0610KT1E3
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