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MOSFET Vishay, canale P, 10 Ω, 185 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-7879018
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     TP0610K-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040844919
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
185 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
10 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
350 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.04mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 7879018, Semiconduttori, Discreti, Vishay, TP0610KT1GE3
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