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MOSFET onsemi, canale P, 170 mΩ, 4,1 A, ChipFET, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1631110
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTHD4102PT1G
EAN/GTIN:
     5059042453201
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale doppio P, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
4,1 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
ChipFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
170 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
2,1 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
3.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1631110, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTHD4102PT1G
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