Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2533189 N. Art. Produtt.:
NTHD4102PT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2.9 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 2.9 A Resistenza RdsON canale N 0.064 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.064 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.1 W Dissipazione di potenza canale P 1.1 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor ChipFET Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, NTHD4102PT1G, 2533189, 253-3189 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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