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MOSFET onsemi, canale N, 26 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1662534
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQB55N10TM
EAN/GTIN:
     5059042243598
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N QFET®, oltre 31 A, Fairchild Semiconductor. I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento. Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
55 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
QFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
26 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
3,75 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1662534, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FQB55N10TM
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