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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 38,9A; 155W; D2PAK


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 38,9A; 155W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 38,9A; 155W; D2PAK
N. Articolo:
     5068-FQB55N10TM
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQB55N10TM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 38,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 26mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 155W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 98nC
Tecnologia: QFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
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