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MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 19 A, MLP8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1662678
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMC86240
EAN/GTIN:
     5059042243604
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
19 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
MLP8
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
97 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
40 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1662678, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDMC86240
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Accessori
Modulo Driver gate IR2117SPBF, CMOS, LSTTL, 500 mA, 20V, SOIC 8N, 8-Pin
Infineon
IR2117SPBF
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