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ON SEMICONDUCTOR FDMC86240 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2083269
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDMC86240
EAN/GTIN:
n.d.
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Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0447 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 16 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MLP Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 40 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.9 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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