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MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1698553
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     2N7000
EAN/GTIN:
     5059042163322
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza versione avanzata, Fairchild Semiconductor. Solida tecnologia a effetto valanga Solida tecnologia a ossido di gate Capacità di ingresso ridotta Carica di gate migliorata
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
200 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TO-92
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.8V
Dissipazione di potenza massima:
400 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1698553, Semiconduttori, Discreti, onsemi, 2N7000
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