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ONSEMI 2N7000 MOSFET, CANALE N, 200MA, 60V, TO-92


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N. Articolo:
     8585-9845178
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     2N7000
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 5 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 200 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-92 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 400 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, 2N7000, 9845178, 984-5178
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