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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET Vishay, canale N, 0,075 O, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1807400
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQ2362ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 4,3 A
Tensione massima drain source = 60 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,075 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4,3 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,075 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
1807400
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SQ2362EST1_GE3
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