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VISHAY SQ2362ES-T1_GE3 MOSFET, AUTO, CA-N, 60V, 2,3A, SOT-23
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2617102
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQ2362ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.125 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.3 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 3.3 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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VISHAY
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SQ2362ES-T1_GE3
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2617102
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261-7102
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