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Modulo MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,06 Ω, 38 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-2025550
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STWA65N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 38 A
Tensione massima drain source = 600 V
Serie = ST
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,06 Ω
Modalità del canale = Depletion
Tensione di soglia gate massima = 4.75V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
38 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
ST
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,06 Ω
Modalità del canale:
Depletion
Tensione di soglia gate massima:
4.75V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
SiC
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2025550, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STWA65N60DM6
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