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Transistor a effetto campo
>
Articolo
Modulo MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,06 Ω, 38 A, TO-247, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2025550
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STWA65N60DM6
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 38 A
Tensione massima drain source = 600 V
Serie = ST
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,06 Ω
Modalità del canale = Depletion
Tensione di soglia gate massima = 4.75V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
38 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
ST
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,06 Ω
Modalità del canale:
Depletion
Tensione di soglia gate massima:
4.75V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
SiC
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
2025550
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
STMicroelectronics
,
STWA65N60DM6
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