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MOSFET Infineon, canale N, 0,004 Ω, 160 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2144465
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRL1404STRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura desercizio della giunzione a 175 °C, la rapida velocità di commutazione e leffetto valanga ripetitivo miglioratoÈ senza piombo
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
160 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,004 Ω
Tensione di soglia gate massima:
3V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2144465, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRL1404STRLPBF
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