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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 160 A, PG-TO263-7-3, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2591551
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPB160N04S4H1ATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 160 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = PG-TO263-7-3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
160 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
PG-TO263-7-3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
2591551
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPB160N04S4H1ATMA1
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