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MOSFET ROHM, canale N, 20 A, TO-220AB, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-2491121
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6520KNX3C16
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 20 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = TO-220AB
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
20 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-220AB
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2491121, Semiconduttori, Discreti, ROHM, R6520KNX3C16
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