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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-R6520KNX3C16
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6520KNX3C16
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 20A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 220W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 40nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 60A
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