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MOSFET Vishay, canale N, 530 mA, SC-89, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2567338
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1062X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 530 mA
Tensione massima drain source = 20 V
Tipo di package = SC-89
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
530 mA
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SC-89
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 2567338, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI1062XT1GE3
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