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Articolo
VISHAY SI1062X-T1-GE3 MOSFET, CA-N, 20V, 0,53A, SC-89
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2646363
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI1062X-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.35 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 530 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-89 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 220 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
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MOSFET
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SMD transistor
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Transistor SMD
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Transistori
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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VISHAY
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SI1062X-T1-GE3
,
2646363
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264-6363
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