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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 0,19A; 830mW; SOT23,TO236AB


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 0,19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 0,19A; 830mW; SOT23,TO236AB
N. Articolo:
     5068-BST82.215
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BST82,215
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23;TO236AB
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 0,19A
Resistenza nello stato di conduzione: 10Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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