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NEXPERIA BST82,215 MOSFET, N, SOT-23


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N. Articolo:
     8585-1081313
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BST82,215
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 10 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 190 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 830 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, NEXPERIA, BST82,215, 1081313, 108-1313
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