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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 92A; Idm: 521A; 147W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK7Y4R4-40EX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7Y4R4-40EX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 92A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 147W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 39nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 521A
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