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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-PSMN1R0-40YLDX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN1R0-40YLDX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 198A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,93mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 198W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: logic level
Carico della porta: 127nC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 1284A
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