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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6
N. Articolo:
     5068-FDC640P
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDC640P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SuperSOT-6
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -4,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 80mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 13nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Offerte (3)
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