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ONSEMI FDC640P MOSFET, CANALE P, -20V, -4.5A, SOT-23-6


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N. Articolo:
     8585-2464124
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDC640P
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.039 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 4.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SuperSOT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDC640P, 2464124, 246-4124
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