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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-IMZA65R107M1HXKSA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMZA65R107M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 13A
Resistenza nello stato di conduzione: 139mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 75W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Tecnologia: SiC;CoolSiC™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -5...23V
Corrente di drain pulsata: 48A
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Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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