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INFINEON IMZA65R107M1HXKSA1 MOSFET, CAN N, 650V, 20A, TO-247


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N. Articolo:
     8585-3500952
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMZA65R107M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.107 ohm Gamma di prodotti CoolSiC M1 Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 75 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), INFINEON, IMZA65R107M1HXKSA1, 3500952, 350-0952
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Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
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