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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 5,3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-IRF830BPBF
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRF830BPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 5,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 104W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 20nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 10A
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