VISHAY IRF830BPBF. MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB, Tran

Montaggio Transistore Through Hole Resistenza Drain-Source in conduzione 1.2 ohm Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Tensione Drain Source Vds 500 V Temperatura di esercizio max 150 °C Tipo di canale N Channel Corrente Continua di Drain Id 5.3 A Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Dissipazione di potenza 104 W Gamma di prodotti D Series Tensione di test di Rds(on) 10 V Numero di pin 3 Pin Stile di Case del Transistor TO-220AB Qualificazioni - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) -